Диодный тиристор: 9.2. Диодные тиристоры

Содержание

9.2. Диодные тиристоры

Диодный тиристор или динистор – это тиристор, имеющий два вывода, через которые проходит как основной ток, так и ток управления.

Структура диодного тиристора состоит из четырех областей полупроводника с чередующимся типом электропроводности, например pnpn(рис. 9.3).

Рис. 9.3

Кроме трех выпрямляющих переходов П1, П2, П3 диодный тиристор имеет два омических перехода. Один из омических переходов расположен между крайней левой n-областью и металлическим электродом, который называется катодом. Другой омический переход расположен между крайней правойp-областью и металлическим электродом, который называется анодом.

Рассмотрим процессы, происходящие в динисторе при подаче на него прямого напряжения, т.е. при положительном потенциале на аноде (рис. 9.4а). На рис.9.4б приведено изображение на электрических схемах.

В этом случае переходы П1 и П3 смещены в прямом направлении, поэтому их называют эмиттерными. Средний переход П2 смещен в обратном направлении, поэтому его называют коллекторным. Соответственно в таком приборе существуют две эмиттерные области и две базовые области.

Рис. 9.4а

Рис. 9.4б

Большая часть внешнего прямого напряжения падает на коллекторном переходе, так как он смещен в обратном направлении.

Поэтому первый участок (участок 1 рис. 9.5) прямой ветви ВАХ динистора похож на обратную ветвь ВАХ выпрямительного диода. С увеличением анодного напряжения, приложенного между анодом и катодом, увеличивается прямое напряжение и на эмиттерных переходах.

Рис. 9.5

Электроны, инжектированные из n-эмиттера вp-базу, диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются полем коллекторного перехода и попадают вn-базу. Дальнейшему продвижению электронов по структуре динистора препятствует небольшой потенциальный барьер эмиттерного перехода П3. Поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной ямеn-базы, образует избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера эмиттерного перехода П3, вызывает увеличение инжекции дырок изp-эмиттера вn-базу. Инжектированные дырки диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются его полем и попадают вp

-базу. Дальнейшему их продвижению по структуре динистора препятствует небольшой потенциальный барьер эмиттерного перехода П1. Следовательно, вp-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обуславливает увеличение инжекции электронов изn-эмиттера. Таким образом, в структуре динистора существует положительная обратная связь по току – увеличение тока через один эмиттерный переход приводит к увеличению тока через другой эмиттерный переход.

Накопление неравновесных носителей в базовых областях равносильно дополнительной разности потенциалов на коллекторном переходе, которая в отличие от внешней разности потенциалов стремится сместить коллекторный переход в прямом направлении.

Наконец, при достижении напряжения на динисторе значения происходит резкое увеличение тока через динистор и одновременное уменьшение падения напряжения на нем до напряжения, соответствующего напряжению на открытом переходе П2. Этот процесс соответствует участку 2 вольтамперной характеристики динистора (рис. 9.5).

Участок 3 вольтамперной характеристики динистора (рис. 9.5) аналогичен прямой ветви вольтамперной характеристики диода, так как на этом участке все три перехода смещены в прямом направлении.

Таким образом, динистор при подаче на него прямого напряжения может находиться в двух устойчивых состояниях: закрытом и открытом.

Закрытое состояние динистора соответствует участку 1 вольтамперной характеристики между точками «а» и «б». Точка «б» называется точкой переключения. Под точкой переключения понимают точку на вольтамперной характеристике, в которой дифференциальное сопротивление равно нулю, а напряжение на динисторе достигает максимального значения.

Открытое состояние динистора соответствует низковольтному и низкоомному участку (участок 3) вольтамперной характеристики. Между участками, соответствующими закрытому и открытому состояниям, находится переходной участок (участок 2), соответствующий неустойчивому состоянию динистора. Этот участок характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением.

В открытом состоянии динистор находится до тех пор, пока поддерживается требуемое количество избыточных носителей заряда в базах, необходимое для понижения высоты потенциального барьера коллекторного перехода до величины, соответствующей прямому включению. Для поддержания необходимого количества избыточных носителей заряда в базах требуется большой ток через динистор.

Если уменьшить ток через динистор до величины , то в результате рекомбинации и рассасывания количество избыточных носителей заряда в базах уменьшится, коллекторный переход окажется включенным в обратном направлении, произойдет перераспределение напряжений на переходах, уменьшится инжекция из эмиттеров и динистор перейдет в закрытое состояние.

Структуру динистора можно рассматривать в виде двух эквивалентных транзисторов, соединенных между собой (рис. 9.6).

Рис. 9.6

Тогда можно записать: , где- токи через соответствующие переходы;- обратный ток коллектора первого и второго эквивалентных транзисторов при токах их эмиттеров, равных нулю;- коэффициенты передачи токов эмиттеров эквивалентных транзисторов.

Поскольку через всю динисторную структуру протекает ток анода , т.е., то.

Обозначив , получим, откуда следует, что резкое возрастание токанаступает при. Это является главным условием переключения динистора из закрытого состояния в открытое.

Из теории биполярных транзисторов известно, что рост обеспечивается двумя путями:

— путем увеличения тока эмиттера, когда растет из-за уменьшения влияния рекомбинации вpn-переходе и появления электрического поля в базе;

— путем увеличения коллекторного напряжения, когда растет из-за уменьшения толщины базы вследствие эффекта Эрли.

Обе эти причины роста в динисторе выполняются. На переходном участке растет, значит увеличивается и. После переключения в открытое состояние дальнейшего увеличенияне происходит, так как уменьшается напряжение на коллекторном переходе.

Поскольку сильно зависит от, то динисторы выполняются только на основе кремния. Кроме того, в кремниевых структурах зависимостьотвыражена сильнее. Меньшая величинадля кремния позволяет получить меньшую мощность, рассеиваемую в закрытом состоянии и большее значение напряжения включения.

Существуют два варианта вольтамперной характеристики динистора: жесткая и мягкая. Жесткой называется такая характеристика переключения, для которой свойственна резкая зависимость коэффициента передачи тока от напряжения и от тока. Динистор будет переходить в открытое состояние всегда при одном и том же напряжении включения. Мягкой называется такая характеристика переключения, для которой свойственна слабая зависимость коэффициента передачи токаот напряжения и от тока. Переход динистора с мягкой характеристикой в открытое состояние может осуществляться при различных напряжениях. Для большинства динисторов технологически обеспечивается жесткая характеристика переключения.

Основные параметры динистора характеризуют открытое и закрытое состояния.

Для открытого состояния определяются:

— максимально допустимый средний ток , представляющий собой среднее за период значение тока, длительно протекающего через динистор. Эта величина для разных типов динисторов лежит в диапазоне от 40 мА до 1000 А;

— или- пороговое напряжение. Определяется по вольтамперной характеристике динистора в точке пересечения прямой, аппроксимирующей ВАХ в открытом состоянии с осью абсцисс (рис. 9.7). Для большинства динисторов;

Рис. 9.7

— динамическое сопротивление открытого динистора, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей ВАХ в открытом состоянии(рис. 9.7).

Для закрытого состояния определяются:

— — напряжение включения и соответствующий ему ток. Для различных типов динисторовлежит в диапазоне от 10 . . . 100В до 2,5кВ, асоставляет единицы мА;

— — характеризует переход из открытого состояния в закрытое. Для различных типов динисторовлежит в диапазоне от единиц до сотен мА;

— — ток утечки, определяемый при(рис. 9.7), который для динисторов составляет единицы мкА;

— — определяется по обратной ветви ВАХ при обратном включении динистора.

Из основной схемы включения динистора (рис. 9.8) можно найти выражение для вольтамперной характеристики нагрузочного сопротивления :, которая графически изображается прямой линией.

Возможны различные варианты взаимного расположения вольтамперных характеристик динистора и нагрузочного сопротивления (рис. 9.9).

Рис. 9.8

Первый вариант (ВАХ — прямая 1 на рис. 9.9) соответствует бистабильному состоянию системы нагрузка – динистор. Закрытому статическому состоянию динистора соответствует точка А.

Рис. 9.9

Ток, протекающий в этом состоянии, мал, напряжение источника питания практически полностью прикладывается к динистору и может достигать сотен и тысяч вольт. Точка А – точка устойчивого равновесия системы нагрузка – динистор. В самом деле, легко видеть, что при увеличении тока по какой-либо причине падение напряжения на динисторетакже возрастает, и токвернется к своему значению (в точку А). Открытому статическому состоянию динистора соответствует точка В. В этом состоянии напряжение на динисторе мало (около 1 В), а ток может достигать значений в сотни и тысячи ампер. Аналогично можно показать, что точка В также является точкой устойчивого равновесия. Существует еще одна точка пересечения ВАХ нагрузки и ВАХ динистора – точка С (в области отрицательного дифференциального сопротивления). Точка С, как и любая другая точка в этой области, является точкой временной устойчивости. Любое отклонение от равновесия в точке С приводит к тому, что динистор переходит либо в закрытое состояние (в точку А), либо в открытое состояние (в точку В). Например, пусть токв точке С увеличился, тогда напряжение на динисторе уменьшится, токеще больше увеличится, так будет происходить до тех пор, пока рабочая точка не окажется в точке В. Аналогично происходит переход в точку А при уменьшении тока.

Второй и третий варианты (ВАХ — прямая 2 или прямая 3 соответственно на рис. 9.9) соответствует моностабильному (закрытому или открытому соответственно) устойчивому состоянию системы нагрузка – динистор.

Четвертый вариант (ВАХ — прямая 4 на рис. 9.9) соответствует астабильному состоянию системы нагрузка – динистор.

Для ключевых схем на динисторах используется первый из рассмотренных вариантов. Включение (переход в открытое состояние) осуществляется путем увеличения анодного напряжения до напряжения включения путем подачи(рис. 9.8). Напряжениеможет представлять собой как медленное изменение напряжения, так и импульсы. При увеличении скорости изменения анодного напряжения напряжение включениядинистора в открытое состояние уменьшается. Объясняется это тем, что при увеличении скорости изменения анодного напряжения, возрастает емкостная составляющая токов через переходы (все переходы динистора имеют собственные емкости), особенно через коллекторный переход. Это ведет к увеличению коэффициентов передачи тока, следовательно, условие включениябудет достигнуто при меньшем значении, чем на постоянном токе.

Таким образом, из рис. 9.10 следует, что:

— время включения — время от момента подачи управляющего импульса до момента нарастания анодного токачерез динистор до 90% установившегося значенияпри включении на активную нагрузку;

— время задержки — время от момента подачи управляющего импульса до момента нарастания анодного токачерез динистор до 10% установившегося значенияпри включении на активную нагрузку;

— время нарастания — время, соответствующее нарастанию анодного тока от 10% до 90% его установившегося значения.

Критической скоростью нарастания прямого тока через динистор называется максимальное значение скорости нарастания прямого тока через динистор, не вызывающее необратимых процессов в его структуре и связанного сними ухудшения параметров динистора.

Выключение динистора (переход в закрытое состояние) осуществляется либо путем разрыва цепи анодного тока, либо путем изменения полярности анодного напряжения. В первом случае время выключения значительно больше из-за длительных процессов рассасывания накопленных в базе носителей заряда, во втором случае время выключения существенно меньше, но динистор должен иметь достаточно большую величину . При выключении быстродействие оценивается:

— временем выключения — временем от момента, когда анодный ток через динистор достиг нулевого значения, до момента, когда динистор способен выдерживать, не переключаясь, прикладываемое в прямом направлении напряжение;

— критической скоростью нарастания прямого напряжения — максимальным значением скорости нарастания прямого напряжения, при котором не происходит включения динистора при заданном напряжении.

Поскольку , то в целом быстродействие динисторов оценивается по величине.

Все перечисленные параметры называются динамическими. При оценке режимов эксплуатации динисторов необходимо учитывать следующие особенности динамических параметров этих приборов. Во-первых, практически все динамические параметры характеризуют несколько физических процессов, протекающих в динисторе одновременно, и зависят от ряда внутренних параметров прибора: времени жизни, подвижности носителей заряда емкости переходов и т.п. Во-вторых, динамические параметры зависят от режима измерения параметра, т.е. являются функциями и внешних параметров: характера нагрузки, анодного напряжения, частоты и т.п. Так как режимы эксплуатации динисторов в значительной степени могут отличаться от режимов измерения динамических параметров, то от разработчика требуется глубокое знание физических процессов, протекающих при переключении динистора, осмысление работы прибора в определенной схеме в определенных условиях и выбор необходимых для обеспечения этой работы параметров, а затем подбор динистора по найденным параметрам.

Диодные тиристоры (динисторы)


Диодный тиристор (рис. 5.1) – это тиристор, который имеет два вывода, через которые проходит как основной ток, так и ток управления. Основой наиболее простого из семейств тиристоров является четырехслойная полупроводниковая структура р-n-р-n-типа(рис. 5.2). Крайние области структуры называются эмиттерами, а центральные – базами. Электрод, присоединенный к р-эмиттеру,называют анодом (А), а электрод, присоединенный к n-эмиттеру – катодом (К). Базы тиристора отличаются толщиной и концентрацией примесных атомов.

При подаче на тиристор прямого напряжения т.е. положительного потенциала на анод, крайние р-n-переходы смещены в прямом направлении, средний переход смещен в обратном направлении. Большая часть прямого внешнего напряжения падает на коллекторном переходе, так как он смещён в обратном направлении, поэтому первый участок ВАХ тиристора (рис. 5.3) похож на обратную ветвь ВАХ выпрямительного диода. С увеличением анодного напряжения, увеличивается прямое напряжение, и на эмиттерных переходах электроны, инжектированные из n-эмиттера в р-базу диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются его полем и попадают в n-базу.

Дальнейшему продвижению электронов препятствует небольшой потенциальный барьер правого эмиттерного перехода, поэтому часть электронов, оказавшись в потенциальной n-яме, образуют избыточный отрицательный заряд, который, понижая высоту потенциального барьера правого эмиттерного перехода, вызывает увеличение инжекции дырок из р-эмиттера в n-базу.

Инжектированные из р-эмиттера дырки подхватываются полем коллекторного перехода и переходят в р-базу. Дальнейшему их продвижению препятствует потенциальный барьер левого эмиттерного перехода, т.е. в р-базе происходит накопление избыточного положительного заряда, что обусловливает увеличение инжекции электронов из n-эмиттера. Таким образом, в структуре тиристора существует положительная обратная связь по току, т.е. увеличение тока через один эмиттерный переход приводит к увеличению тока через другой эмиттерный переход.



Накопление зарядов в базовых областях равносильно дополнительной разности потенциалов на коллекторном переходе, которая стремится сместить этот переход в прямом направлении, т.е. суммарное напряжение на коллекторном переходе будет уменьшаться. При Ua = Uвкл внутренняя положительная обратная связь вызывает лавинообразный процесс инжекции носителей заряда из эмиттеров, и коллекторный переход (КП) оказывается смещенным в прямом направлении. Сопротивление динистора уменьшается, а ток скачком увеличивается. При этом падение напряжения на динисторе резко уменьшается.

Таким образом, при подаче прямого напряжения на тиристор он может находится в двух состояниях: открытом и закрытом.

Под точкой переключения понимают точку на ВАХ, в которой дифференциальное сопротивление равно нулю, а напряжение на тиристоре достигает максимального значения. Участок 1 (см. рис. 5.3) от значения U = 0 до напряжения включения U = Uвкл соответствует малым токам, т.е. за­крытому состоянию тиристора. В пределах этого участка дифференциальное сопротивление тиристора rдиф = dU / dI положи­тельно. В пределах участка 2 – 3 значение дифференциального сопротивления rдиф отрицательно. Увеличение тока вызывает умень­шение напряжения, что приводит к дальнейшему увеличению тока и т.д. Режим, соответствующий этому участку вольт-амперной ха­рактеристики, неустойчив.

Тиристор спонтанно переходит на участок 3 – 4 вольт-амперной характеристики, соответствующий откры­тому состоянию, при котором дифференциальное сопротивление вновь становится положительным. Этот участок имеет вид, аналогичный прямой ветви характеристики обычного диода.

Открытое состояние соответствует участку 3 – 4 (см. рис. 5.3). В открытом состоянии тиристор будет находиться до тех пор, пока за счёт проходящего тока будет поддерживаться избыточный заряд в базах. Если ток уменьшить до некоторого значения, меньше удерживающего тока (Iуд), то в результате рекомбинации и рассасывания уменьшится количество носителей в базах, коллекторный переход сместиться в обратном направлении, тиристор закроется. Таким образом, Iуд – это минимальный ток, который необходим для поддержания тиристора в открытом состоянии.


Структуру тиристора можно представить в виде двух транзисторов (рис. 5.4). Постоянный ток коллектора этих транзисторов можно выразить через эмиттерные токи:

,

где α1, α2 – статические коэффициенты передачи тока транзисторов; – это токи через 1-й, 2-й, 3-й р-n-переходы соответственно; – обратный ток коллекторного перехода, общий для обоих транзисторов.

Для двухэлектродной структуры (динистора) из-за необходимости выполнения баланса токов токи через все переходы должны быть равны между собой:

,

где Iа – ток через тиристор (анодный ток).

Тогда анодный ток через тиристор можно будет найти по выражению:

,

где α= α1 + α2.

Последнее выражение представляет собой уравнение ВАХ динистора в закрытом состоянии. Статические коэффициенты передачи тока транзисторов увеличиваются с увеличением эмиттерного тока (рис. 5.5).

При достижении суммарным статическим коэффициентом значения, равного единице ( α = 1), анодный ток через тиристор устремляется в бесконечность, т.е. происходит включение динистора. Поэтому в процессе переключения ток через динистор должен быть ограничен сопротивлением нагрузки. При обратном напряжении на тиристоре, т.е. при отрицательном потенциале на аноде, эмиттерные переходы смещены в обратном направлении, коллекторные в прямом, в этом случая условий для переключения тиристора нет.

Триодные тиристоры

Для переключения триодного тиристора (рис. 5.6) также необходимо накопление зарядов в базах. В тринисторе, к одной из баз, имеющей более высокую концентрацию примеси и меньшую толщину (обычно р-база), присоединяют управляющий электрод УЭ. Через прилегающий к этой базе эмиттерный переход можно увеличить инжекцию носителей путём подачи положительного, относительно катода, напряжения на управляемый электрод. Поэтому тринистор можно переключить в необходимый момент времени, даже при небольшом анодном напряжении.


Управляющий электрод тринистора выполняет роль своеобразного «под­жигающего» электрода. Тогда баланс токов:

.

Из этого выражения следует, что напряжение включения тиристора зависит от тока управления. С увеличением тока управления, напряжение включения уменьшается.

Уп­равляющее действие электрода УЭ проявляется лишь в момент включения тринистора: закрыть прибор или изменить значение анодного тока, протекающего через открытый прибор, изменяя ток управления, невозможно. Исключение составля­ет специальный тип приборов – запираемые тиристоры, которые открываются положительным, а закрываются отрицательным сигналами на управляющем элек­троде.

Чтобы выключить тиристор необходимо создать условия, при которых исчезает заряд, накопленный в базах транзистора. Выключить открытый тринистор (рис. 5.7) можно, как и динистор, только сделав значение пря­мого тока меньше значения удерживающего тока (Iуд).

Способ открывания тринисторов током управляющего электрода имеет существенные достоинства, так как позволяет коммутировать большие мощности в нагрузке маломощным управляющим сигналом (коэффициент усиления по мощности составляет примерно 5·102..2·103).

Важной особенностью почти всех типов полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой является их способность работать в импульсных ре­жимах с токами, значительно превышающими допустимые постоянные токи в открытом состоянии. Так, например, динисторы КН102 при постоянном токе не более 0,2 А допускают импульсный ток до 10 А, тринисторы типов КУ203 и КУ216 способны пропускать импульсные токи до 100 А при допустимом посто­янном токе 5 А и т.д.


Тиристоры | Символы, элементы, фигуры Visio

Диодный тиристор, запираемый в обратном направлении.

Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении.

Симметричный диодный тиристор; диодный переключатель.

Триодный тиристор.

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, с n-управляющим электродом (управление по аноду).

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, с p-управляющим электродом (управление по катоду).

Тетродный тиристор, запираемый в обратном направлении.

Триодный тиристор выключаемый.

Выключаемый триодный тиристор с управлением по аноду.

Выключаемый триодный тиристор с управлением по катоду.

Симметричный триодный тиристор.

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении.

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении, с n-управляющим электродом (управление по аноду).

Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении, с p-управляющим электродом (управление по катоду.

Триодный тиристор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Триодный тиристор

Cтраница 1

Триодный тиристор может управляться не только световым потоком, но и подачей тока через управляющий электрод.  [1]

Триодные тиристоры называют также тринисторами или переключающими четырехслойными управляемыми диодами, а диодные тиристоры — динисторами или переключающими четырехслойными неуправляемыми диодами.  [2]

Триодный тиристор имеет катод, управляющий электрод и анод. К аноду и управляющиму электроду прикладывается положительный потенциал. Для включения тиристора в работу необходима подача открывающего импульса на управляющий электрод. Закрывание тиристора возможно только при переходе потенциала на аноде через нуль.  [3]

Триодные тиристоры имеют очень широкое применение в различных схемах радиоэлектроники, автоматики, промышленной электроники. От источника Е через резистор R сравнительно медленно заряжается конденсатор С. Пока напряжение ис на конденсаторе невелико, триодный тиристор находится в закрытом состоянии.  [5]

Триодный тиристор имеет катод, управляющий электрод и анод. К аноду и управляющиму электроду прикладывается положительный потенциал. Для включения тиристора в работу необходима подача открывающего импульса на управляющий электрод. Закрывание тиристора возможно только при переходе потенциала на аноде через нуль.  [6]

Триодный тиристор, или просто тиристор, включается импульсами тока управления, а выключается или подачей обоат-ного напряжения или прерыванием тока с помощью другого аппарата.  [7]

Триодный тиристор, структура которого представлена на рис. 5.5, б, можно рассматривать также как два диодных тиристора, имеющих общие анод, одну эмиттерную и обе базовые области. Структура основного тиристора выполнена с зашунти-рованным эмиттерным переходом.  [8]

Триодный тиристор кроме анодного и катодного выводов имеет еще вывод управляющего электрода УЭ. Последний подключается либо к ближайшей к катоду / — области, либо к ближайшей к аноду области. В соответствии с этим различают катодное и анодное управление тиристором. Первое подключение более распространено. Структура тиристора с катодным управлением, его условное изображение и ВАХ приведены на рис. 10.28. При изменении напряжения управления U изменяется и напряжение включения тиристора вкя.  [9]

Триодный тиристор, структура которого представлена на рис. 5.5, б, можно рассматривать также как два диодных тиристора, имеющих общие анод, одну эмиттерную и обе базовые области. Структура основного тиристора выполнена с зашунти-рованным эмиттерным переходом.  [10]

Триодный тиристор ( триод-тиристор, тринистор) — это полупроводниковый прибор, представляющий собой четырехслойную структуру типа рпрп ( или прпр), имеющую вывод от двух крайних областей и от одной внутренней ( базовой) области. Такие приборы называют также управляемыми переключающими диодами.  [11]

Триодный тиристор кроме анодного и катодного выводов имеет еще вывод управляющего электрода УЭ. Последний подключается либо к ближайшей к катоду — области, либо к ближайшей к аноду и-области. В соответствии с этим различают катодное и анодное управление тиристором. Первое подключение более распространено.  [12]

Триодный тиристор, или просто тиристор, включается импульсами тока управления, а выключается или подачей обратного напряжения или прерыванием тока с помощью другого аппарата.  [13]

Триодный тиристор имеет управляющий электрод. При подаче прямого тока ( относительно катода на управляющем электроде при этом положительное напряжение) напряжение включения тиристора уменьшается. При управ-ляк) щем токе, равном току спрямления, тиристор включается и остается во вклю — ченном состоянии и после снятия управляющего тока. Выключить триодный тиристор, как и динистор, мойсно путем уменьшения анодного тока или снятия анодного напряжения.  [14]

Триодные тиристоры, выпускаемые отечественной промышленностью ( КУ101, КУШ, КУ202, КУ204 с модификациями и др.), имеют напряжение анода в закрытом состоянии до 300 В, постоянный ток анода до 10 А, импульсный ток до 50 А.  [15]

Страницы:      1    2    3    4

Не удается найти страницу | Autodesk Knowledge Network

(* {{l10n_strings.REQUIRED_FIELD}})

{{l10n_strings.CREATE_NEW_COLLECTION}}*

{{l10n_strings.ADD_COLLECTION_DESCRIPTION}}

{{l10n_strings.COLLECTION_DESCRIPTION}} {{addToCollection.description.length}}/500 {{l10n_strings.TAGS}} {{$item}} {{l10n_strings.PRODUCTS}} {{l10n_strings.DRAG_TEXT}}  

{{l10n_strings.DRAG_TEXT_HELP}}

{{l10n_strings.LANGUAGE}} {{$select.selected.display}}

{{article.content_lang.display}}

{{l10n_strings.AUTHOR}}  

{{l10n_strings.AUTHOR_TOOLTIP_TEXT}}

{{$select.selected.display}} {{l10n_strings.CREATE_AND_ADD_TO_COLLECTION_MODAL_BUTTON}} {{l10n_strings.CREATE_A_COLLECTION_ERROR}}

Динистор 2Н102Б Тиристор диодный | Оптом и в розницу

Главная / Каталог / Электронные компоненты активные / Тиристоры / Тиристоры диодные, кремниевые, диффузионные (динисторы) / Динистор 2Н102Б Тиристор диодный

НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,25руб.70,91руб.68,63руб.67,10руб.62,53руб.61,00руб.59,48руб.54,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней138,01руб.126,58руб.124,29руб.121,24руб.112,85руб.110,56руб.107,51руб.96,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней178,43руб.164,70руб.160,89руб.157,08руб.146,40руб.142,59руб.139,54руб.125,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,50руб.83,88руб.82,35руб.80,06руб.74,73руб.73,20руб.70,91руб.64,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней176,14руб.162,41руб.158,60руб.154,79руб.150,21руб.144,88руб.137,25руб.123,53руб.

Характеристики

2Н102Б – динистор

Тиристорные и диодные преобразователи (TecQuipment)

ТИРИСТОРНЫЕ И ДИОДНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Тиристор и диодный тренажер являются универсальным учебным пособием. Он исследует принципы и применение тиристоров, диодов и преобразователей.

Панель управления имеет четкие мнемосхемы с окутанными розетками. Студенты используют экранированные провода (в комплекте) для подключения различных частей цепей. Части включают в себя тиристоры, диоды, катушки индуктивности, трансформаторы и сглаживающие конденсаторы. Сочетание стандартных аналоговых измерителей и многофункционального цифрового измерителя измеряет токи и напряжения в цепях.

Многозадачные трансформаторы обеспечивают выбор одно- и трехфазного переменного напряжения для подключения к диодам и тиристорам. Межфазный трансформатор с центральным отводом показывает эффект снижения циркулирующих токов в цепях выпрямителя. Индуктор нагрузки показывает влияние индуктивности при сглаживании пульсации переменного тока в цепях выпрямителя. Быстродействующие предохранители на панели управления защищают нагрузочную сторону экспериментальных цепей. Учащиеся используют элементы управления на нижней панели для регулировки напряжения переменного тока и сопротивления балласта во время экспериментов.

Для экспериментов с тиристорами учащиеся могут выбрать внешний или внутренний источник, чтобы активировать ворота тиристоров. Переменное управление задерживает импульс срабатывания затвора для наглядной демонстрации влияния задержки срабатывания на гармоники и формы выходной волны. Преобразователи позволяют студентам подключить осциллограф (входит в комплект), чтобы показать и сравнить импульсы затвора с выходными волновыми формами.

TecQuipment поставляет этому продукту три блока нагрузки: два резистивных (PSA50) и один индуктивный (PSA60). Он также включает в себя двухканальный осциллограф (OS2).

Позволяет изучить:

  • Однофазные и многофазные диодные выпрямительные цепи
  • Одно- и трехфазные полностью управляемые тиристорные мостовые схемы
  • Управление однофазным переменным током с использованием тиристоров
  • Выпрямительные гармоники, методы сглаживания выхода и инвертированная работа
  • Коммутационные эффекты в многофазных и однофазных выпрямителях

Мощный тиристор (PCT) и выпрямительный диод Платформа

Hitachi ABB Power Grids разработала платформу для тиристоров с фазовым управлением (PCT) и выпрямительных диодов, используя свои новейшие технологии производства микросхем, которые максимизируют производительность, повышают эффективность и улучшают соотношение цена/качество. Эта статья дает представление о платформе, описывая первые два продукта — РСТ и выпрямительный диод — оба рассчитаны на 6500 В и поставляются в N-корпусе (диаметр полюсного наконечника 100 мм, высота 35 мм).

 

Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Знакомство с тиристором

A PCT является ключевым компонентом мощных выпрямителей, источников питания, электроприводов, систем контроля качества электроэнергии, гидронасосов, HVDC и многих других приложений. Это выбор номер один в приложениях, где требуются высочайшая производительность, наилучшая надежность и низкие потери проводимости (см. , рис. 1 ). В некоторых менее сложных приложениях мощных выпрямителей или источников питания выпрямительный диод, обеспечивающий минимальные потери проводимости, также является желательным решением в современной промышленности.

Новая платформа Hitachi ABB Power Grids для промышленных тиристоров и выпрямительных диодов значительно повышает производительность устройств. Первые продукты, использующие эту новую платформу, PCT и выпрямительный диод, обеспечивают 30-процентное увеличение производительности по сравнению с предыдущим поколением [1] [2] [3] [4] [5]. Эта новая платформа использует новейшие серверные технологии и ведущую структуру конструкции ворот-снежинок для создания РСТ. Улучшенная производительность позволяет системам стать более экономичными, что достигается за счет уменьшения количества параллельно подключенных устройств в мощном выпрямителе или увеличения выходной мощности статического компенсатора реактивной мощности (SVC) или инвертора с коммутацией нагрузки ( ЛКИ).

 

Рис. 1.  Устройства и приложения Power Semiconductor [6]. Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Дизайн устройства

PCT и выпрямительные диоды для промышленного применения нацелены на максимальную температуру перехода, номинальные значения прямого и импульсного тока. Хотя очертания новинок идентичны предыдущему поколению, внутренне устройства кардинально отличаются. Для оптимизации оценок были изменены три основных аспекта устройств:

• Размер пластины

Диаметр устройства был максимально увеличен по отношению к доступному пространству внутри N-корпуса.Это привело к 15-процентному увеличению активной площади.

• Максимальная температура виртуального перехода

Максимальная температура перехода была увеличена на 10 К. Чтобы выдерживать повышенные тепловые нагрузки (например, более высокий ток утечки при блокировке), потребовались серьезные изменения в кремниевой микросхеме. Во-первых, было введено положительно-отрицательное скошенное соединение. Кроме того, заделка соединения покрыта новейшей технологией пассивации Hitachi ABB Power Grids из аморфного гидрогенизированного углерода (также известного как DLC).Сочетание этой конструкции соединения с пассивирующим слоем повышает эффективность блокировки и обеспечивает выдающуюся надежность при высоких температурах. Следовательно, профиль легирования кремниевого чипа может быть адаптирован для использования повышенной надежности нового контакта перехода, что позволяет максимизировать производительность во включенном состоянии.

• Низкотемпературное склеивание

Эта новая платформа обеспечивает низкотемпературное соединение кремниевого чипа с соседним молибденом на стороне анода с тиристорами и выпрямительными диодами.Это дает множество преимуществ: кремниевая пластина охлаждается до самого края, обеспечивая еще один механизм, способный выдерживать повышенные тепловые нагрузки в дополнение к адаптации и модификации кремниевого чипа. Кроме того, склеивание устраняет сухую поверхность раздела между молибденом и кремниевой пластиной, что приводит к более низкому тепловому сопротивлению между этими двумя частями. В результате улучшается охлаждение кремниевой микросхемы, что способствует снижению теплового сопротивления между стыком кремниевой пластины и корпусом корпуса.

В дополнение к кремниево-молибденовому соединению для PCT и выпрямительных диодов были внесены дополнительные изменения в упаковку. Как показано на рис. 2 , технология свободного плавания, использовавшаяся для предыдущего поколения РСТ и выпрямительных диодов, характеризуется симметричной конструкцией упаковки. Размеры соседних молибденовых дисков и медных полюсных наконечников идентичны для анодной и катодной стороны. Напротив, упаковка приклеенных устройств существенно отличается.Как упоминалось выше, диаметр полюсного наконечника анода был увеличен, чтобы соответствовать диаметру чипа, в то время как полюсный наконечник катода был адаптирован к активной области кремниевого чипа со стороны катода. Благодаря наклеиванию со стороны анода толщина катодного молибдена была уменьшена и заменена медью. Это еще больше улучшает тепловое и электрическое сопротивление из-за более высокой электро- и теплопроводности меди. Однако из-за асимметрии тепловые сопротивления анода и катода не равны.

 

Рис. 2.  Поперечное сечение упаковки для свободно плавающей технологии (слева) и приклеенной технологии (справа). Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Влияние на термическое сопротивление обобщено в таблице 1 . В целом новая упаковка снижает тепловое сопротивление на 17 процентов. Из-за асимметрии вклеиваемых устройств в новой упаковке термическое сопротивление на стороне анода значительно ниже.Несмотря на тепловой дисбаланс между анодом и катодом, тепловое сопротивление катодной стороны все же снижено по сравнению с эталонными устройствами. Даже если используется одностороннее охлаждение со стороны катода, приложение все равно выиграет от улучшенной термостойкости благодаря новой упаковке.

 

 

5СТП 26Н6500

свободно плавающий

5СТП 40Н6500

приклеенный

5СДД 50N5500

свободно плавающий

5СДД 57N6500

приклеенный

R th(j-c),DC,анод 11.4 К кВт -1 8,5 тыс. кВт -1 — 25 % 11,4 тыс. кВт -1 8,5 тыс. кВт -1 — 25 %
R th(j-c),DC,катод 11,4 тыс. кВт -1 11,0 тыс. кВт -1 — 3 % 11,4 тыс. кВт -1 10,4 тыс. кВт -1 — 9 %
Р th(j-c),DC 5,7 тыс. кВт -1 4,8 тыс. кВт -1 — 16 % 5.7 К кВт -1 4,7 тыс. кВт -1 — 18 %
Таблица 1.  Сводная таблица термостойкости

 

Производительность устройства

Технологическая кривая

Компромисс между падением напряжения во включенном состоянии и зарядом обратного восстановления нового поколения по сравнению с предыдущим поколением и некоторыми конкурентами показан на рис. 3 . РСТ снижает статические потери при постоянных потерях переключения на три процента.Это приводит к увеличению плотности тока до 62,3 А/см² (+11%), а также к снижению теплового сопротивления и повышению температуры перехода. Аналогичная ситуация и с диодом: статические потери снижены на три процента, а плотность тока увеличена до 79,7 А/см² (+ восемь процентов). Таким образом, было достигнуто значительное улучшение номинального прямого тока по сравнению с предыдущим поколением.

 

Рисунок 3.  Заряд обратного восстановления Q RR в зависимости от падения напряжения во включенном состоянии PCT и выпрямительного диода по сравнению с предыдущим поколением и некоторыми конкурентами. Q RR измерено при V R = 200 В для PCT и выпрямительного диода. Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Стойкость к импульсному току

Технология соединения является одним из ключевых факторов, позволяющих устройству выдерживать более высокую температуру перехода и избегать теплового разгона в условиях блокировки.Кроме того, эта технология позволяет значительно повысить производительность в условиях перенапряжения. Импульсный ток (PCT: I TSM , выпрямительный диод: I FSM ) был тщательно оценен во время разработки продукта. Основной результат в случае выпрямительного диода проиллюстрирован на рис. 4 , на котором показано последнее пиковое значение импульсного тока, измеренное во время испытаний перед тем, как устройство было разрушено. Самое низкое последнее значение, измеренное во время испытания импульсным током нового выпрямительного диода, составляет приблизительно 145 кА в одиночном синусоидальном импульсе длительностью 10 мс.Это равносильно улучшению импульсного тока по сравнению с предыдущим поколением почти на 60 процентов. Тот факт, что способность к импульсному току более крупного устройства от конкурента А была превышена при более низком падении напряжения во включенном состоянии, демонстрирует, что повышенная способность к импульсному току может быть связана с кремниевой конструкцией и технологией соединения.

 

Надежность

Кардинальные изменения были внесены в дизайн чипа и упаковки этой новой платформы для РСТ и диодов выпрямителя.Особое внимание было уделено надежности, чтобы новые устройства соответствовали всем требованиям надежности согласно соответствующим стандартам. Это включает в себя тестирование высокотемпературного обратного смещения (HTRB) (IEC60747-6), циклическое включение питания (IEC60747-6), хранение при низкой (-40 °C) и высокой (PCT: 140 °C, выпрямительный диод: 150 °C) температуре. (IEC60068-2), а также термоциклирование между этими двумя температурами, испытания на удар и вибрацию (IEC61373) и многое другое. Два примера, демонстрирующие достигнутую устойчивость, приведены на рис. 5 .Напряжение во включенном состоянии во время включения и выключения питания при DT=90K и прямой ток утечки во время HTRB при 135 °C приведены для нового PCT. Как напряжение во включенном состоянии, так и ток утечки были стабильными на протяжении всего тестирования, и не наблюдалось серьезной деградации или теплового разгона.

Несмотря на значительные изменения в упаковке, тиристоры и выпрямительные диоды последнего поколения обеспечивают надежность, полностью соответствующую соответствующим стандартам, что соответствует цели Hitachi ABB Power Grids по производству продукции высочайшего качества.

 

Рейтинги

Номинальные токи устройств в основном зависят от их прямого падения напряжения, теплового сопротивления и максимальной рабочей температуры. Как описано в предыдущих разделах, все три аспекта были улучшены, что привело к повышению оценок. Номинальный прямой ток увеличивается в диапазоне от 25 до 35 процентов, а номинальный импульсный ток увеличивается на 12–15 процентов соответственно. Сводка всех релевантных рейтингов новых продуктов по сравнению с предыдущим поколением приведена в таблице 2 .

 

Резюме

В этой статье представлены спецификации для первых двух продуктов, основанных на новой платформе Hitachi ABB Power Grids для высокомощных PCT и выпрямительных диодов. Повышение производительности на 30 процентов было достигнуто при сохранении занимаемой площади устройства, что позволило устройствам нового поколения конкурировать с устройствами следующего большего размера и подняло энергоэффективность на новый уровень. Переход на приложения нового поколения принесет огромные выгоды, став более экономичными и обеспечивая более высокие уровни мощности.

 

Рисунок 4.  Результаты испытаний на импульсный ток выпрямительного диода (5SDD 57N6500) по сравнению с предыдущим поколением (5SDD 50N5500) и 5-дюймовым устройством конкурента. Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Рис. 5.  Напряжение во включенном состоянии во время включения и выключения (слева) и прямой ток утечки в HTRB при 135 °C для 5STP 40N6500. Обратите внимание, что различия во включенном состоянии во время включения и выключения возникают из-за различных тестируемых конструкций.Изображение предоставлено Bodo’s Power Systems

 

Устройство В ДСМ/РСМ В ДРМ/ РРМ I TAVM @ T корпус = 70°C т vj, макс Р th(j-c), DC ITSM/IFSM
РСТ Новый: 5СТП 40Н6500* 6500 В 3780 А +31 % 135 °С +10 К 4.8 К кВт-1 -16 % 75 кА +15 %
Код: 5СТП 26Н6500 6500 В 2810 А 125 °С 5,7 тыс. кВт-1 65 кА
Выпрямительный диод Новый: 5SDD 57N6500* 6500 В +500 В … 1500 В 5700 А +25 % / +35 % 160 °С +10 К 4,7 К кВт-1 -18 % 82 кА +12 % / +15 %
Арт. 1: 5СДД 50Н5500 5500 В 5000 В 4570 А 150 °С 5.7 КВт-1 73 кА
Арт. 2: 5СДД 50Н6000 6000 В 4210 А 150 °С 5,7 тыс. кВт-1 71,2 кА
Таблица 2. Основные характеристики устройства по сравнению с предыдущим поколением (* = предварительные значения в паспорте).

 

Каталожные номера

[1] Hitachi ABB Power Grids, Semiconductors, «5STP 26N6500», 20 марта 2020 г. [В сети].Доступно: https://search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1001&LanguageCode =en&DocumentPartId=&Action=Launch.

[2] Hitachi ABB Power Grids, Semiconductors, «5STP 40N6500», 1 февраля 2021 г. [В сети]. Доступно: https://search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1086&LanguageCode =en&DocumentPartId=&Action=Launch.

[3] Hitachi ABB Power Grids, Semiconductors, «5SDD 50N5500», 2 января 2017 г. [Онлайн]. Доступно: https://поиск.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1169-00&Код языка=en&DocumentPartId=&Action=Launch.

[4] Hitachi ABB Power Grids, Semiconductors, «5SDD 50N6000», 1 июня 2017 г. [Онлайн]. Доступно: https://search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA%201188&Language Code=en&DocumentPartId=&Action=Launch.

[5] Hitachi ABB Power Grids, Semiconductors, «5SDD 57N6500», 21 января 2021 г. [В сети]. Доступно: https://search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1190&LanguageCode =en&DocumentPartId=&Action=Launch.

[6] М. Т. Рахимо, «Полупроводниковые силовые устройства сверхвысокого напряжения для сетевых приложений», в 2010 г. International Electron Devices Meeting, стр. 13.4.1-13.4.4, 2010 г.

 

Первоначально эта статья была опубликована в журнале Bodo’s Power Systems.

Диод — обзор | ScienceDirect Topics

10.4.1.7 Другие диодные лазерные спектрометры

Другие диодные лазерные спектрометры были разработаны для исследования средних слоев атмосферы, на борту самолета или под воздушными шарами.Неполный список включает, помимо прочего, зарубежные страны; группа из Лаборатории реактивного движения (JPL, НАСА) разработала в 1980-х годах лазерный датчик на воздушном шаре JPL (BLISS) (Webster and May, 1992) для измерения CH 4 , 13 CH 4 , N 2 O и OC 18 O. Прибор использовал регистрацию второй гармоники поглощения излучения ПДЛ на трассе длиной 1 км. Длина пути была получена при одном отражении от ретрорефлектора, опущенного на 0.5 км ниже гондолы воздушного шара. Для отслеживания ретрорефлектора под управлением микропроцессора использовались гелий-неоновый лазер и соосная телекамера с изображением CID (устройство инжекции заряда). Оптические компоненты были установлены на оптический стол размером 1,5 на 2,0 м. Для исследования различных атмосферных соединений потребовалось четыре диодных лазера вместе с Дьюаром для охлаждения. У каждого из них была эталонная ячейка. Прибор был интегрирован в собственную гондолу, которая включала литиевый аккумулятор и систему передатчика/приемника телеметрии.В период с 1982 по 1992 год он был успешно запущен в различных конфигурациях 12 раз.

Другие диодные лазерные спектрометры были разработаны для полетов на борту исследовательских самолетов, таких как NASA WB-57F и высотные самолеты ER-2. На основе многопроходных ячеек Херриота было разработано несколько приборов для бортовых измерений на борту самолетов.

Ячейки Эрриота состоят из двух сферических зеркал, разделенных почти радиусом кривизны. Луч выходит из ячейки через то же отверстие, что и вход.Направление выходного луча нечувствительно к изменениям юстировки зеркала. Затем ячейку Херриота значительно легче выровнять, чем ячейку Уайта, за счет увеличения сложности корректировки длины пути.

В 2000-х годах NOAA разработало быстродействующий TDL-спектрометр ближнего ИК-диапазона для измерения метана in situ (Richard et al., 2002). Метан измеряется по записи ро-колебательного перехода R(3) в обертоне 2ν3 на длине волны 1,653 мкм. Из-за слабой силы линий в этой области длина оптического пути 245 м получается с использованием специальной астигматической ячейки Эрриота малого объема.

Коллектив Национального института Оттики (CNR-INO, Италия) разработал спектрометр с лазерным детектором оксида углерода (COLD2) (Viciani et al., 2018) для зондирования оксида углерода в UT-LS на борту Мясищев M55 Geophysica. Эскиз и изображение COLD2 показаны на рис. 10.32.

Рисунок 10.32. Эскиз и изображение перестраиваемого диодного лазерного спектрометра COLD2 соответственно вверху и внизу. AL , красный лазер для юстировки; AP , точка доступа для беспроводного дистанционного управления; BS , светоделитель; cRIO , ящик CompactRIO; ET , эталон; F , фильтр влажности; LD , драйвер QCL; MD , основной детектор; MPC , многоходовая ячейка; P , насос; ПС , блок питания; QCL , квантово-каскадный лазер; RC , эталонная ячейка; РД , эталонный детектор; TC , регулятор температуры QCL.Рис. 10.2 Viciani et al., датчики, 2018 г. Предоставлено доктором Ф. Д’Амато, CNR-INO.

На этом рисунке QCL — квантово-каскадный лазер, BS — светоделитель, ET — эталон, RC — эталонная ячейка, RD — эталонный детектор, MPC — многопроходная ячейка, MD — основной детектор, AL — красный лазер для выравнивания, F — фильтр влажности, LD — драйвер QCL, TC — контроллер температуры QCL, cRIO — компактный крейт RIO, PS — блок питания, P — насос, AP — точка доступа для беспроводной пульт дистанционного управления.

Способен работать в штатном режиме на высоте до 21–22 км. COLD2 полностью интегрирован с бортовым радиоэлектронным комплексом, поэтому имеет доступ ко всем навигационным данным и хранит их вместе с измерениями. COLD2 успешно применялся во время кампании STRATOCLIM в Непале в 2017 году (Bucci et al., 2020). Вертикальные профили CO, полученные во время этой кампании, показаны черным цветом на рис. 10.33. Красная (серая в печатной версии) линия — усредненный профиль.

Рис 10.33. Вертикальные профили CO, полученные по измерениям CLOD2 во время кампании самолета StratoClim в Непале летом 2017 г. (черный цвет). Красный (серый в печатной версии) профиль представляет собой усредненный профиль CO. Рис. 10.12 Viciani et al., датчики, 2018 г. Предоставлено доктором Ф. Д’Амато, CNR-INO.

Позже он был адаптирован для использования на борту воздушного шара нулевого давления во время кампании HEMERA в Швеции в 2019 году. В сентябре 2019 года он был запущен на борту воздушного шара, принадлежащего Шведскому космическому центру в ESRANGE (Кируна).Одной из основных модификаций стала работа от аккумуляторов. Первоначальная конструкция включала герметизированную литиевую батарею весом 26 кг с термозащитой. Он был тяжелее и крупнее самого инструмента. Легкая ячейка Herriott производства Aerodyne позволяет получить длину пути 36 м и работает с задним зеркалом с приводом от PZT.

Вебстер и др. (2001) разработали диодный лазерный спектрометр на основе перестраиваемого ККЛ в 1990-х годах. Прибор был запущен на высотном самолете НАСА ER-2 для проведения первых измерений атмосферного газа с помощью QCL.Лазер QC с криогенным охлаждением использовался во время серии из 20 полетов самолетов, начиная с сентября 1999 г. и заканчивая мартом 2000 г. Было получено около 20 км над Северной Америкой, Скандинавией и Россией. Лазер QC, работающий на длине волны около 8 мкм, был произведен группами Капассо и Чо из Bell Laboratories, Lucent Technologies, где QC-лазеры были изобретены в 1994 году.Использование ККЛ с криогенным охлаждением (82K) вместо диодного лазера на солях свинца позволило получить более высокую выходную мощность (10 мВт), более узкую ширину линии лазера (17 МГц), повышенную точность измерений (в 3 раза) и лучшую спектральную стабильность ( ~0,1 см/К). Минимальное обнаруживаемое соотношение смеси для метана составляло примерно 2 части на миллиард по объему.

Дискретный тиристор и диод в интернет-магазине R&D Electronics

Силовые капсюли производства TECHSEM включают в себя тиристоры с фазовым управлением (серия КП), тиристоры с быстрым отключением (серия КК) и выпрямительные диоды (серия ЗП) с диаметром кристалла от 0.5 дюймов до 5 дюймов. Диапазон выходного тока составляет от 200 А до 8500 А, а диапазон обратного напряжения капсульных устройств — от 400 В до 6500 В. Все капсулы TECHSEM имеют маркировку CE и соответствуют европейским директивам RoHS. TECHSEM является лидером на китайском рынке силовых капсульных устройств. Продукция TECHSEM широко используется для устройств плавного пуска, индукционного нагрева, сварочных устройств, выпрямителей, источников питания и других приложений во многих отраслях промышленности. Упаковки капсульных устройств TECHSEM полностью соответствуют международным стандартам и обеспечивают превосходную универсальность и взаимозаменяемость для клиентов.

Дополнительная информация о дискретных тиристорах и диодах

Дискретная структура определяется как структура, состоящая из одних только диодов, транзисторов и тиристоров и не имеющая интегральных схем. Отдельные компоненты припаяны к полупроводниковой пластине. Если модулей уже недостаточно, можно использовать дисковые ячейки/капсулы. Дисковые ячейки не имеют внутри изоляции и могут охлаждаться с обеих сторон. Таким образом, благодаря двустороннему отводу тепла они особенно подходят для работы между двумя радиаторами.Дисковые ячейки тиристора имеют оптимальный тепловой и электрический контакт с радиатором. Однако такие вещи также легко могут быть достигнуты из внутреннего компонента.

Название «дисковые ячейки» происходит от того, оборудованы ли они тиристорами или диодами, из-за их круглой и плоской дискообразной формы. Здесь тиристор или диод будут размещены на пластине между двумя плунжерами, которые являются катодом и анодом. Этот вафельный чип имеет круглую форму и имеет форму диска. Пластинчатый чип изготавливается в чистой комнате из кремния для достижения оптимального качества ячеек диска.

Дисковая ячейка заключена в керамический корпус. Чтобы равномерно распределить давление на пластину и тиристор, а также на анод, а также добиться оптимальной адаптации к расширению материала, пластина из кремния будет помещена между двумя пластинами из молибдена. Сварка двух закрывающих пластин в верхней и нижней части герметично закрывает всю дисковую ячейку. Только когда дисковая ячейка подвергается определенному давлению, может быть реализован тепловой и электрический контакт между анодом и катодом, и диод или тиристор выполняет поставленную перед ним задачу.

Таким образом, дисковые элементы являются отличным выбором для устройства плавного пуска, а также для индукционного нагрева, сварочного оборудования, систем постоянного тока и электроснабжения. Используя устройство плавного пуска, конечное потребление для включения устройства может быть уменьшено, а для устройств с механической силой реакции, таких как шлифовальные станки, они также могут быть сведены к минимуму. Таким образом, электродвигатели и другие машины с высоким или большим крутящим моментом могут быть дополнительно защищены от слишком большого входного ускорения, а непосредственная реакция защиты по мощности может быть обойдена.

КОМПЛЕКТ МОДУЛЯ / ТИРИСТОРА/ДИОДА M SKKH570/18E  1 ШТ. SP K

КОМПЛЕКТА МОДУЛЯ / ТИРИСТОРА/ДИОДА M SKKH570/18E  1 ШТ. SP K

Магазин не будет работать корректно в случае, если куки отключены.

Вероятно, в вашем браузере отключен JavaScript. Для наилучшего взаимодействия с нашим сайтом обязательно включите Javascript в своем браузере.

Приводы

Идентификатор продукта

3AUA0000014922

НАБОР МОДУЛЯ / ТИРИСТОРА/ДИОДА M SKKH570/18E  1 ШТ. SP K

Технические характеристики
MRP (индийские рупии) 95055
Запасной тип Тиристорно-диодный модуль
Семейство совместимых дисков ACS800-02, ACS800-04
Совместимые размеры рамы ACS800-02/04 R7-R8
Масса брутто упаковки 1.45 кг
Ассортимент продукции Запчасти для привода
Описание счета КОМПЛЕКТ МОДУЛЯ / ТИРИСТОРА/ДИОДА M SKKH570/18E  1 ШТ. SP K
Послепродажное обслуживание Доступно за дополнительную плату на платной основе
Общий налог на товары и услуги в процентах 18.00
Номер HSN 85413000
Страна происхождения Словакия (Словакия) Германия (DE)
Для товара не найдены атрибуты.
Скачать
© АББ Индия ООО | Адрес: 88/3-88/6, деревня Басаванахалли, Касаба Хобли, Бангалор, Карнатака — 562123

Является ли тиристор диодом?

Автор вопроса: Санни Кунце
Оценка: 4,3/5 (30 голосов)

Как и диод, тиристор является однонаправленным устройством , то есть он будет проводить ток только в одном направлении, но в отличие от диода, тиристор может работать либо как размыкатель цепи, либо как выпрямительный диод. в зависимости от того, как срабатывает затвор тиристоров.

Тиристор такой же, как диод?

Основное отличие диода от тиристора заключается в том, что диод имеет 2 вывода и используется как выпрямитель для преобразования переменного тока в постоянный и как переключатель. В то время как тиристор имеет 2 вывода и работает как переключатель. И диод, и тиристор являются полупроводниковыми устройствами и сконструированы из комбинации материалов p- и n-типа.

Является ли тиристор силовым диодом?

При обратном смещении реальный тиристор имеет те же характеристики, что и силовой диод .Максимальный обратный ток, который устройство может безопасно выдержать, составляет I RRM . Когда реальный тиристор находится в закрытом состоянии и к нему приложено напряжение прямого смещения, через устройство протекает очень небольшой ток.

Почему мы используем тиристор вместо диода?

При использовании в выпрямительных цепях тиристоры позволяют более точно регулировать ток, чем диоды , которые могут быть только в положении ВКЛ или ВЫКЛ. Тиристор можно запустить, чтобы позволить току проходить градуированным образом, путем срабатывания (включения тиристора) в точное время, тем самым контролируя угол проводимости.

Что делают тиристоры?

Основной функцией тиристора является управление электроэнергией и током посредством действия переключателя . Для такого небольшого и легкого компонента он обеспечивает адекватную защиту цепей с большими напряжениями и токами (до 6000 В, 4500 А).

21 связанных вопросов найдено

Является ли стабилитрон диодом?

Диод Зенера — это кремниевый полупроводниковый прибор, который позволяет току течь в в прямом или обратном направлении.Диод состоит из специального, сильно легированного p-n перехода, предназначенного для проведения в обратном направлении при достижении определенного заданного напряжения.

Преобразует ли тиристор переменный ток в постоянный?

Однофазный тиристорный выпрямитель преобразует напряжение переменного тока в напряжение постоянного тока на выходе . Поток мощности является двунаправленным между стороной переменного и постоянного тока. Работа схемы зависит от состояния источника переменного тока и угла открытия α двухимпульсного генератора.

Почему SCR называют управляемым выпрямителем?

Но управляемые кремнием выпрямители не проводят ток, даже если анодное напряжение больше, чем катодное, до тех пор, пока не сработает (третья клемма) клемма затвора . … Следовательно, тиристор также называют управляемым выпрямителем или кремниевым управляемым выпрямителем.

Что означает диод Шоттки?

Schottky), также известный как диод с барьером Шоттки или диод с горячими носителями, представляет собой полупроводниковый диод, образованный соединением полупроводника с металлом .Он имеет низкое прямое падение напряжения и очень быстрое переключение.

Каковы преимущества SCR перед диодом?

SCR (кремниевый выпрямитель) может работать с большими значениями напряжения, тока и мощности . Схема запуска для кремниевого управляемого выпрямителя (SCR) проста. SCR легко включается. SCR можно защитить с помощью предохранителя.

Почему SCR называется Тиристором?

Во многих отношениях кремниевый управляемый выпрямитель, SCR или просто тиристор, как он более известен, похож по конструкции на транзистор.Это многослойное полупроводниковое устройство , отсюда и «кремниевая» часть его названия.

Что такое Fullform IGBT?

IGBT расшифровывается как биполярный транзистор с изолированным затвором . … Это силовой транзистор, который сочетает в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор.

Что лучше диод или тиристор?

Способность обработки мощности тиристоров сравнительно лучше, чем у диодов.Диоды имеют низкое рабочее напряжение около 5000 В. В то время как рабочее напряжение тиристоров составляет около 7000 В, что сравнительно выше, чем у диодов.

Каковы преимущества и недостатки SCR?

SCR Преимущества, недостатки и области применения

  • Выдерживает большие напряжения, токи и мощность.
  • Небольшое падение напряжения на проводящем SCR….
  • Легко включается.
  • Цепи запуска
  • просты.
  • Может быть защищен с помощью предохранителя.
  • Мы можем контролировать мощность, подаваемую на нагрузку.

В чем разница между диодом и SCR?

Оба устройства имеют клеммы, называемые «анод» и «катод», но SCR имеет дополнительную клемму, называемую «затвор» . Оба этих устройства имеют преимущества, зависящие от применения.Диод представляет собой простейшее полупроводниковое устройство и состоит из двух слоев полупроводника (одного P-типа и одного N-типа), соединенных друг с другом.

Каковы приложения SCR?

SCR в основном используются в устройствах, где требуется управление большой мощностью, возможно, в сочетании с высоким напряжением . Их работа делает их подходящими для использования в приложениях управления мощностью переменного тока среднего и высокого напряжения, таких как диммирование ламп, регуляторы мощности и управление двигателем.

Где используется диод Шоттки?

Диоды Шоттки

используются в качестве переключателей в устройствах с быстродействующими диодами . В этом приложении базовый переход смещен в прямом направлении. С диодами Шоттки значительно сокращается время выключения и увеличивается быстродействие схемы.

Для чего используется диод Шоттки?

Диод Шоттки — это один из типов электронных компонентов, также известный как барьерный диод.Он широко используется в различных приложениях, таких как смеситель , в радиочастотных приложениях и в качестве выпрямителя в силовых приложениях . Это низковольтный диод. Падение мощности ниже по сравнению с диодами с PN-переходом.

Каковы свойства диода Шоттки?

Преимущества диода Шоттки:

  • Емкость диода мала, так как область обеднения диода незначительна.
  • Время обратного восстановления диода очень быстрое, то есть переход из состояния ВКЛ в состояние ВЫКЛ происходит быстро.
  • Плотность тока диода высока, так как область обеднения незначительна.

Как срабатывает SCR?

Для срабатывания тиристора необходимо приложить напряжение между затвором и катодом, положительное на затвор и отрицательное на катод …. SCR могут быть отключены при падении анодного тока ниже значения тока удержания (отключение при малом токе) или при «обратном срабатывании» затвора (прикладывании отрицательного напряжения к затвору).

Является ли SCR выпрямителем?

Кремниевый управляемый выпрямитель или полупроводниковый выпрямитель представляет собой четырехслойное полупроводниковое устройство управления током . Название «кремниевый управляемый выпрямитель» является торговой маркой General Electric для типа тиристора…. SCR проводит, когда на него подается импульс затвора, как диод.

Какие существуют типы SCR?

Типы тиристоров

  • Кремниевый управляемый тиристор или SCR.
  • Gate отключает тиристоры или GTO.
  • Эмиттер отключает тиристоры или ETO.
  • Тиристоры с обратной проводимостью или RCT.
  • Двунаправленные триодные тиристоры или симисторы.
  • MOS отключает тиристоры или MTO.
  • Двунаправленные тиристоры с фазовым управлением или BCT.
  • Быстродействующие тиристоры или тиристоры.

Преобразует ли SCR переменный ток в постоянный?

SCR преобразует напряжение переменного тока в напряжение постоянного тока . В отличие от диода, который включается при . 7 В проходит через анод и катод, SCR включает вывод затвора, для которого требуется триггер для активации состояния включения.

Какое устройство преобразует постоянный ток в переменный?

Инвертор мощности, или инвертор , представляет собой силовое электронное устройство или схему, которая преобразует постоянный ток (DC) в переменный ток (AC).

Что такое угол обстрела?

Угол открытия:

Количество градусов от начала цикла при включении SCR угол открытия.Любой SCR начнет проводить в определенной точке напряжения источника переменного тока. Конкретная точка определяется как угол стрельбы.

(PDF) Анализ отказов диодных (тиристорных) кристаллов силовых полупроводниковых модулей после работы выше максимальной заданной температуры

Ток дискретных диодных или тиристорных кристаллов может

изменяться при их использовании в многокристальных модулях.

было обнаружено, что значительное изменение обычно

проявляется при высокой температуре, а не при комнатной

температуре.Как следствие

можно понять причину того, что температура перехода в модуле

должна быть ниже, чем у дискретного диода

или тиристора.

. Выводы.Когда разрешена работа при температуре выше указанной

температуры перехода, обратный

(блокирующий) ток может достигать высокого уровня из-за

чрезмерно высоких утечек на кромке перехода, возникающих

в результате процесса пассивации перехода и из-за

механическое воздействие в корпусе модуля. Нестабильность

электрической характеристики с последующим отказом занимает

место. В случае, когда начальный уровень обратного тока

значительно ниже, возможно изменение с

времени на все большее и большее значение, если допускается

эксплуатация выше максимально допустимой

температуры.Это изменение вызвано внутренним напряжением, возникающим в корпусе. Надежная работа

при температуре перехода выше 125 –150 oC, указанной

для силовых модулей, возможна при условии дальнейшего усовершенствования в

методики пассивации перехода и пакета модуля

.

Ссылки

1. Мердок, Д.А., Торес, Дж.Э.Р., Коннорс, Дж.Дж.,

Лоренц, Р.Д, «Активный тепловой контроль мощности

электронных модулей», IEEE Trans-IA, Vol.42, No.2

(2006), pp. 552-558

2. Шаммас, Н.А., «Современные проблемы технологии упаковки модулей питания

», Микроэлектроника

Надежность, Vol.43, No.4 (2003 ), стр. 519-527

3. Ратолоджанахари, Ф.Е., Доркель, Дж.М., Тунси, П.,

«Теория двухпортовой сети, основанная на тепловых

характеристиках корпусов силовых модулей»,

European Physical Journal-Applied Физика, Том 18,

№1 (2002), с.63-75

4.Кокури, Г. и др., «Оценка срока службы силового модуля

по прямому измерению температуры микросхемы

в автомобильном тяговом инверторе», Microelectronics

Reliability, Vol.41, No.9-10 (2001), pp. 1695- 1700

5. Шойерманн, У., Герр, Э., «Новая конструкция модуля питания

и технология для повышения мощности

циклических возможностей», Надежность микроэлектроники,

Том 41, № 9-10 (2001 г.) ), стр. 1713-1718

6. Шоу, М.К., Бейхофф, Британская Колумбия, «Упаковка интегрированных твердотельных силовых сборочных элементов

: термомеханический подход

», Труды

IEEE, Том 89, № 6 (2001), стр. 856-863

7. Хинчли, Д.А. и др., «Инновационный недорогой силовой модуль

», IEE Proceedings-Circuit Devices and

Systems, Vol.148, No.2 (2001), стр. 85–88

8. Zhu, N., Van Wyk, JD, Liang, ZX, «Анализ механических напряжений

в модулях встроенной мощности

», Proc.35th Annual Power Electronics

Specialists Conference (PESC04), Ахен, Германия,

июнь 2004, стр. 4503-4508

с термоциклом

стойкости», Тр. 16-й Международный симпозиум по силовым полупроводниковым устройствам и интегральным схемам

, Китакюсю,

Япония, май 2004 г., стр. 293-296

для силовых модулей

с прямой пайкой», Proc.33-я ежегодная конференция специалистов по электронике Power

(PESC02), Кэрнс,

Австралия, июнь 2002 г., стр. 743-747

припой большой площади

соединения», Microelectronics Reliability, Vol.40, No. 8-10

(2000) pp. 1653-1658

Улучшить характеристики силовых тиристоров и диодов с помощью протонного облучения